Infineon BFR183E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

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포장 옵션
RS 제품 번호:
258-7737
제조사 부품 번호:
BFR183E6327HTSA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

450mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Series

BFR183

Standards/Approvals

RoHS

Width

2.4 mm

Length

2.9mm

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon low noise silicon bipolar RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

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