Infineon Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- RS 제품 번호:
- 258-6996
- 제조사 부품 번호:
- BFR183E6327HTSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 reel of 3000 units)*
₩684,450.00
일시적 품절
- 2026년 7월 16일 부터 9,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | ₩228.15 | ₩686,790.00 |
| 9000 - 42000 | ₩222.30 | ₩666,315.00 |
| 45000 + | ₩214.50 | ₩646,425.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 258-6996
- 제조사 부품 번호:
- BFR183E6327HTSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 65mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 450mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | BFR183 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 2.9mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 65mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 450mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series BFR183 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 2.9mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon low noise silicon bipolar RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications
Pb free RoHS compliant package
VCEO max is 12 V
관련된 링크들
- Infineon BFR183E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon Bipolar Transistor, 20 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon BFR193E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 12 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon BFR182E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon BFR181E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 20 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon Transistor, 45 mA NPN, 15 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon Transistor, 210 mA NPN, 16 V, 3-Pin SOT-23