Toshiba

Discrete Semiconductors

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제품설명
제품 정보
Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • ₩477.797
    Each (In a Pack of 10)
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Toshiba 2SK208-R(TE85L,F) N-Channel JFET, 10 V, Idss 0.3 to 0.75mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • Channel TypeN
  • Idss Drain-Source Cut-off Current0.3 to 0.75mA
  • Maximum Drain Source Voltage10 V
  • Maximum Gate Source Voltage-30 V
  • Maximum Drain Gate Voltage-50V
JFETs제품군 관련 제품 보기
  • RS 제품 번호
    760-3123
  • 제조사
    Toshiba
  • 제조사 부품 번호
    2SK208-R(TE85L,F)
Silicon N-Channel MOSFET, 168 A, 75 V, 8-Pin SOP Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M
  • ₩1,704.201
    Each (In a Pack of 5)
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Silicon N-Channel MOSFET, 168 A, 75 V, 8-Pin SOP Toshiba TPH2R608NH,L1Q(M
  • Channel TypeN
  • Maximum Continuous Drain Current168 A
  • Maximum Drain Source Voltage75 V
  • Package TypeSOP
  • Mounting TypeSurface Mount
MOSFETs제품군 관련 제품 보기
  • RS 제품 번호
    236-3629
  • 제조사
    Toshiba
  • 제조사 부품 번호
    TPH2R608NH,L1Q(M
Toshiba 2SC6076(TE16L1,NQ) NPN Transistor, 3 A, 80 V, 3-Pin DPAK
  • ₩808.978
    Each (In a Pack of 10)
Toshiba 2SC6076(TE16L1,NQ) NPN Transistor, 3 A, 80 V, 3-Pin DPAK
  • Transistor TypeNPN
  • Maximum DC Collector Current3 A
  • Maximum Collector Emitter Voltage80 V
  • Package TypeDPAK (TO-252)
  • Mounting TypeSurface Mount
Bipolar Transistors제품군 관련 제품 보기
  • RS 제품 번호
    756-0313
  • 제조사
    Toshiba
  • 제조사 부품 번호
    2SC6076(TE16L1,NQ)
Toshiba 2SC6000(TE16L1,NQ) NPN Transistor, 7 A, 50 V, 3-Pin DPAK
  • ₩2,092.304
    Each (In a Pack of 5)
Toshiba 2SC6000(TE16L1,NQ) NPN Transistor, 7 A, 50 V, 3-Pin DPAK
  • Transistor TypeNPN
  • Maximum DC Collector Current7 A
  • Maximum Collector Emitter Voltage50 V
  • Package TypeDPAK (TO-252)
  • Mounting TypeSurface Mount
Bipolar Transistors제품군 관련 제품 보기
  • RS 제품 번호
    756-0307
  • 제조사
    Toshiba
  • 제조사 부품 번호
    2SC6000(TE16L1,NQ)
N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK12P60W,RVQ(S
  • ₩3,539.495
    Each (On a Reel of 2000)
N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK12P60W,RVQ(S
  • Channel TypeN
  • Maximum Continuous Drain Current11.5 A
  • Maximum Drain Source Voltage600 V
  • Package TypeDPAK (TO-252)
  • SeriesTK
MOSFETs제품군 관련 제품 보기
N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin PW Mold Toshiba 2SK3669(Q)
  • ₩1,866.342
    Each (In a Pack of 5)
N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin PW Mold Toshiba 2SK3669(Q)
  • Channel TypeN
  • Maximum Continuous Drain Current10 A
  • Maximum Drain Source Voltage100 V
  • Package TypePW Mold
  • Series2SK
MOSFETs제품군 관련 제품 보기
Toshiba DF3A5.6FU(F), Dual-Element ESD Protection Diode, 3-Pin USM
  • ₩274.259
    Each (In a Pack of 10)
Toshiba DF3A5.6FU(F), Dual-Element ESD Protection Diode, 3-Pin USM
  • Diode ConfigurationCommon Anode
  • Mounting TypeSurface Mount
  • Package TypeUSM
  • Pin Count3
  • Number of Elements per Chip2
TVS Diodes제품군 관련 제품 보기
N-Channel MOSFET, 52 A, 100 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK22A10N1,S4X(S
  • ₩993.542
    Each (In a Pack of 5)
N-Channel MOSFET, 52 A, 100 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK22A10N1,S4X(S
  • Channel TypeN
  • Maximum Continuous Drain Current52 A
  • Maximum Drain Source Voltage100 V
  • Package TypeTO-220SIS
  • SeriesTK
MOSFETs제품군 관련 제품 보기
N-Channel MOSFET, 9.3 A, 650 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK9A65W,S5X(M
  • ₩1,809.420
    Each (In a Pack of 5)
N-Channel MOSFET, 9.3 A, 650 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK9A65W,S5X(M
  • Channel TypeN
  • Maximum Continuous Drain Current9.3 A
  • Maximum Drain Source Voltage650 V
  • Package TypeTO-220SIS
  • SeriesDTMOSIV
MOSFETs제품군 관련 제품 보기
Toshiba 2SC5712(TE12L,F) NPN Transistor, 3 A, 50 V, 3-Pin SC-62
  • ₩495.046
    Each (In a Pack of 10)
Toshiba 2SC5712(TE12L,F) NPN Transistor, 3 A, 50 V, 3-Pin SC-62
  • Transistor TypeNPN
  • Maximum DC Collector Current3 A
  • Maximum Collector Emitter Voltage50 V
  • Package TypeSC-62
  • Mounting TypeSurface Mount
Bipolar Transistors제품군 관련 제품 보기
  • RS 제품 번호
    756-0284
  • 제조사
    Toshiba
  • 제조사 부품 번호
    2SC5712(TE12L,F)
N-Channel MOSFET, 250 mA, 20 V, 3-Pin SOT-723 Toshiba SSM3K37MFV
  • ₩96.594
    Each (In a Pack of 100)
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N-Channel MOSFET, 250 mA, 20 V, 3-Pin SOT-723 Toshiba SSM3K37MFV
  • Channel TypeN
  • Maximum Continuous Drain Current250 mA
  • Maximum Drain Source Voltage20 V
  • Package TypeSOT-723
  • Mounting TypeSurface Mount
MOSFETs제품군 관련 제품 보기
Silicon N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3K339R,LF(T
  • ₩165.590
    Each (On a Reel of 3000)
Silicon N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3K339R,LF(T
  • Channel TypeN
  • Maximum Continuous Drain Current2 A
  • Maximum Drain Source Voltage40 V
  • Package TypeSOT-23
  • Mounting TypeSurface Mount
MOSFETs제품군 관련 제품 보기
Toshiba 2SA1943N(S1,E,S) PNP Transistor, -15 A, -230 V, 3-Pin TO-3P
  • ₩3,187.615
    Each (In a Pack of 5)
Toshiba 2SA1943N(S1,E,S) PNP Transistor, -15 A, -230 V, 3-Pin TO-3P
  • Transistor TypePNP
  • Maximum DC Collector Current-15 A
  • Maximum Collector Emitter Voltage-230 V
  • Package TypeTO-3P
  • Mounting TypeThrough Hole
Bipolar Transistors제품군 관련 제품 보기
  • RS 제품 번호
    890-2620
  • 제조사
    Toshiba
  • 제조사 부품 번호
    2SA1943N(S1,E,S)
Toshiba 2SC2712-BL(F) NPN Transistor, 150 mA, 50 V, 3-Pin SOT-346
  • ₩122.468
    Each (In a Pack of 10)
Toshiba 2SC2712-BL(F) NPN Transistor, 150 mA, 50 V, 3-Pin SOT-346
  • Transistor TypeNPN
  • Maximum DC Collector Current150 mA
  • Maximum Collector Emitter Voltage50 V
  • Package TypeSOT-346 (SC-59)
  • Mounting TypeSurface Mount
Bipolar Transistors제품군 관련 제품 보기
N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V, 8-Pin TSON Toshiba TPN14006NH,L1Q(M
  • ₩579.566
    Each (In a Pack of 10)
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N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V, 8-Pin TSON Toshiba TPN14006NH,L1Q(M
  • Channel TypeN
  • Maximum Continuous Drain Current65 A
  • Maximum Drain Source Voltage60 V
  • Package TypeTSON
  • Mounting TypeSurface Mount
MOSFETs제품군 관련 제품 보기
  • RS 제품 번호
    171-2385
  • 제조사
    Toshiba
  • 제조사 부품 번호
    TPN14006NH,L1Q(M
Toshiba GT40QR21,F(O IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
  • ₩7,946.614Each
Toshiba GT40QR21,F(O IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
  • Maximum Continuous Collector Current40 A
  • Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
  • Maximum Gate Emitter Voltage±25V
  • Maximum Power Dissipation230 W
  • Package TypeTO-3P
IGBTs제품군 관련 제품 보기
N-Channel MOSFET, 214 A, 80 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK100E08N1
  • ₩4,139.76Each
  • 검색 제품은 소량 포장. 생산용 포장 제품을 원하시면 여기를 클릭해주세요.
N-Channel MOSFET, 214 A, 80 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK100E08N1
  • Channel TypeN
  • Maximum Continuous Drain Current214 A
  • Maximum Drain Source Voltage80 V
  • SeriesTK
  • Package TypeTO-220
MOSFETs제품군 관련 제품 보기
Toshiba RN1106(TE85L,F) NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin ESM
  • ₩120.74
    Each (In a Pack of 5)
Toshiba RN1106(TE85L,F) NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin ESM
  • Transistor TypeNPN
  • Maximum DC Collector Current100 mA
  • Maximum Collector Emitter Voltage50 V
  • Package TypeESM
  • Mounting TypeSurface Mount
Bipolar Transistors제품군 관련 제품 보기
N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK72E08N1,S1X(S
  • ₩2,038.832
    Each (In a Pack of 5)
N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK72E08N1,S1X(S
  • Channel TypeN
  • Maximum Continuous Drain Current157 A
  • Maximum Drain Source Voltage80 V
  • Package TypeTO-220
  • SeriesU-MOSVIII-H
MOSFETs제품군 관련 제품 보기
Toshiba GT40QR21(STA1,E,D IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin SC-65, Through Hole
  • ₩4,639.98Each
Toshiba GT40QR21(STA1,E,D IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin SC-65, Through Hole
  • Maximum Continuous Collector Current40 A
  • Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
  • Maximum Gate Emitter Voltage±25V
  • Maximum Power Dissipation230 W
  • Package TypeSC-65
IGBTs제품군 관련 제품 보기
  • RS 제품 번호
    756-0540
  • 제조사
    Toshiba
  • 제조사 부품 번호
    GT40QR21(STA1,E,D
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