IXYS GigaMOS, HiperFET N-Channel MOSFET, 600 A, 40 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T600N04T2

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875-2475
Distrelec 제품 번호:
302-53-513
제조사 부품 번호:
MMIX1T600N04T2
제조업체:
IXYS
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브랜드

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

600A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

GigaMOS, HiperFET

Package Type

SMPD

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

590nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.7mm

Standards/Approvals

No

Width

23.25mm

Length

25.25mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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