IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD

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RS 제품 번호:
168-4794
제조사 부품 번호:
MMIX1T550N055T2
제조업체:
IXYS
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브랜드

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

550A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

GigaMOS, HiperFET

Package Type

SMPD

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

595nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.7mm

Standards/Approvals

No

Length

25.25mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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