IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T

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RS 제품 번호:
146-1770
제조사 부품 번호:
MMIX1F180N25T
제조업체:
IXYS
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브랜드

IXYS

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

132A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

GigaMOS, HiperFET

Package Type

SMPD

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-30V, +30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Single

Width

23.25mm

Length

25.25mm

Height

5.7mm

Number of Elements per Chip

1

COO (Country of Origin):
DE

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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