제조사부품번호

ROHM N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 3-Pin TUMT3 RUF015N02TL

RS 제품 번호:: 826-7807
제조사 부품 번호:: RUF015N02TL
제조업체:: ROHM

ROHM N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 3-Pin TUMT3 RUF015N02TL

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 30 units)*

₩18,369.00

현재 액세스할 수 없는 재고 정보 - 나중에 다시 확인해 주세요.

수량	한팩당	한팩당*
30 - 30	₩612.30	₩18,392.40
60 - 120	₩596.70	₩17,930.25
150 - 270	₩583.05	₩17,485.65
300 - 570	₩567.45	₩17,046.90
600 +	₩553.80	₩16,619.85

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 826-7807
제조사 부품 번호:: RUF015N02TL
제조업체:: ROHM

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	ROHM
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	1.5 A
	Maximum Drain Source Voltage	20 V
	Package Type	TUMT3
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	310 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	1V
	Maximum Power Dissipation	800 mW
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Gate Source Voltage	-10 V, +10 V
	Width	1.7mm
	Typical Gate Charge @ Vgs	1.8 nC @ 4.5 V
	Length	2mm
	Number of Elements per Chip	1
	Transistor Material	Si
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Height	0.77mm

	모두 선택
	브랜드 ROHM
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 1.5 A
	Maximum Drain Source Voltage 20 V
	Package Type TUMT3
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 310 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 1V
	Maximum Power Dissipation 800 mW
	Transistor Configuration Single
	Maximum Gate Source Voltage -10 V, +10 V
	Width 1.7mm
	Typical Gate Charge @ Vgs 1.8 nC @ 4.5 V
	Length 2mm
	Number of Elements per Chip 1
	Transistor Material Si
	Maximum Operating Temperature +150 °C
	Height 0.77mm

COO (Country of Origin):: TH

ROHM N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 3-Pin TUMT3 RUF015N02TL

대량 구매 가격 책정 옵션

관련된 링크들