Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7288DP-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩18,367.60

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
마지막 RS 재고
  • 최종적인 10,640 개 unit(s)이 배송 준비 됨
수량
한팩당
한팩당*
10 - 740₩1,836.76₩18,367.60
750 - 1490₩1,791.64₩17,916.40
1500 +₩1,763.44₩17,634.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
818-1390
제조사 부품 번호:
SI7288DP-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Width

5 mm

Length

5.99mm

Height

1.07mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


관련된 링크들