제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA00DP-T1-GE3

RS 제품 번호:: 787-9367
제조사 부품 번호:: SIRA00DP-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA00DP-T1-GE3

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RS 제품 번호:: 787-9367
제조사 부품 번호:: SIRA00DP-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.35mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	147nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.12mm
	Length	6.25mm
	Width	5.26 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.35mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 147nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.12mm
	Length 6.25mm
	Width 5.26 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA00DP-T1-GE3

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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