Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 29 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4459ADY-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩12,953.20

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 1월 05일 부터 1,760 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
5 - 620₩2,590.64₩12,953.20
625 - 1245₩2,526.72₩12,633.60
1250 +₩2,485.36₩12,426.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
180-7996
제조사 부품 번호:
SI4459ADY-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

129nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.2 mm

Length

5mm

Height

1.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 7.8W and continuous drain current of 29A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Adaptor switch

• Notebook

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS teste

관련된 링크들