제조사부품번호

Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2367DS-T1-GE3

RS 제품 번호:: 812-3136
제조사 부품 번호:: SI2367DS-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2367DS-T1-GE3

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RS 제품 번호:: 812-3136
제조사 부품 번호:: SI2367DS-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-23
	Series	Si2367DS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.066Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.02mm
	Length	3.04mm
	Standards/Approvals	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-23
	Series Si2367DS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.066Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.02mm
	Length 3.04mm
	Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2367DS-T1-GE3

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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