Vishay Si2329DS Type P-Channel MOSFET, -6 A, -8 V, 3-Pin SOT-23
- RS 제품 번호:
- 256-7346
- 제조사 부품 번호:
- SI2329DS-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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- RS 제품 번호:
- 256-7346
- 제조사 부품 번호:
- SI2329DS-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -8V | |
| Series | Si2329DS | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.12Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.12mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -8V | ||
Series Si2329DS | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.12Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.12mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 3.04mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor P-channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) surface mount SOT-23-3 (TO-236) halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition.
TrenchFET power mosfet
100 % Rg tested
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
관련된 링크들
- Vishay Si2329DS Type P-Channel MOSFET, -6 A, -8 V, 3-Pin SOT-23 SI2329DS-T1-GE3
- Vishay Si2325DS Type P-Channel MOSFET, 530 mA, 150 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2325DS-T1-E3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 7.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2369DS-T1-GE3
- Vishay Si2328DS Type N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2328DS-T1-E3
- Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2338DS-T1-GE3
- Vishay Si2374DS Type N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2374DS-T1-GE3
- Vishay Si2366DS Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2366DS-T1-GE3
- Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
