Vishay SIZF4800LDT 2 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 80 V Enhancement, 12-Pin 3 x 3FS SIZF4800LDT-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 280-0006
- 제조사 부품 번호:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 4 units)*
₩12,821.60
일시적 품절
- 6,000 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | ₩3,205.40 | ₩12,821.60 |
| 60 - 96 | ₩2,397.00 | ₩9,588.00 |
| 100 - 236 | ₩2,139.44 | ₩8,554.00 |
| 240 - 996 | ₩2,096.20 | ₩8,384.80 |
| 1000 + | ₩2,052.96 | ₩8,215.60 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 280-0006
- 제조사 부품 번호:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | 3 x 3FS | |
| Series | SIZF4800LDT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 12 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 80 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type 3 x 3FS | ||
Series SIZF4800LDT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 12 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 80 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a Dual N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Symmetric dual n-channel
Fully lead (Pb)-free device
관련된 링크들
- Vishay SIZF4800LDT 2 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 80 V Enhancement, 12-Pin 3 x 3FS
- Vishay Dual SiZF5300DT 2 Type N-Channel MOSFET, 125 A, 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5300DT-T1-GE3
- Vishay Dual SiZF5300DT 2 Type N-Channel MOSFET, 125 A, 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS
- Vishay Symmetric Dual N Channel 2 Type N-Channel MOSFET, 159 A, 40 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS SIZF640DT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 258 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF928DT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 257 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF906BDT-T1-GE3
- Vishay Symmetric Dual N Channel 2 Type N-Channel MOSFET, 159 A, 40 V, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS
- Vishay Dual 2 Type N-Channel Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET, 100 A, 30 V, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5302DT-T1-RE3
