Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL024NTRPBF

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 25 units)*

₩18,659.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 1,200 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
25 - 25₩746.36₩18,668.40
50 - 75₩731.32₩18,292.40
100 - 225₩671.16₩16,788.40
250 - 975₩658.00₩16,450.00
1000 +₩611.00₩15,284.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
262-6764
제조사 부품 번호:
IRFL024NTRPBF
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Distrelec Product Id

304-41-676

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Ultra low on-resistance

Dynamic dv/dt rating

Fasts switching

Fully avalanche rated

관련된 링크들