제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL024ZTRPBF

RS 제품 번호:: 262-6766
제조사 부품 번호:: IRFL024ZTRPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL024ZTRPBF

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RS 제품 번호:: 262-6766
제조사 부품 번호:: IRFL024ZTRPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.075Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.075Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFL024ZTRPBF

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL024ZTRPBF

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