Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 3.6 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7451TRPBF

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RS 제품 번호:
262-6732
제조사 부품 번호:
IRF7451TRPBF
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.75mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

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