Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩8,215.60

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 25 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
5 - 45₩1,643.12₩8,215.60
50 - 95₩1,496.48₩7,484.28
100 - 495₩1,372.40₩6,860.12
500 - 1995₩1,175.00₩5,871.24
2000 +₩1,152.44₩5,764.08

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
273-2806
제조사 부품 번호:
IRF7351TRPBF
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

17.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

COO (Country of Origin):
PH
The Infineon MOSFET is a 60V N Channel HEXFET Power MOSFET. This MOSFET is used for low power motor drive systems and for isolated DC to DC converters.

Ultra low gate impedance

20V VGS maximum gate rating

Fully characterized avalanche voltage and current

관련된 링크들