Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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RS 제품 번호:
262-6737
제조사 부품 번호:
IRF7473TRPBF
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

4 mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has benefits such as low gate drive current due to improved gate charge characteristic, improved avalanche ruggedness and dynamic dv/dt and fully characterized avalanche voltage and current.

Ultra low on-resistance

High speed switching

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