Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 6.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7473TRPBF

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RS 제품 번호:
262-6737
제조사 부품 번호:
IRF7473TRPBF
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4mm

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has benefits such as low gate drive current due to improved gate charge characteristic, improved avalanche ruggedness and dynamic dv/dt and fully characterized avalanche voltage and current.

Ultra low on-resistance

High speed switching

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