Infineon iPB N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2
- RS 제품 번호:
- 260-5119
- 제조사 부품 번호:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 260-5119
- 제조사 부품 번호:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
N channel enhancement mode
MSL1 up to 260°C peak reflow
100% Avalanche tested
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