제조사부품번호

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement TO-263

RS 제품 번호:: 258-3802
제조사 부품 번호:: IPB180N10S403ATMA1
제조업체:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement TO-263

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RS 제품 번호:: 258-3802
제조사 부품 번호:: IPB180N10S403ATMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	108nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB180N10S403ATMA1

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement TO-263

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