제조사부품번호

Infineon iPB N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2

RS 제품 번호:: 260-5120
제조사 부품 번호:: IPB180N06S4H1ATMA2
제조업체:: Infineon

Infineon iPB N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2

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50 - 98	₩7,210.00	₩14,420.00
100 - 248	₩5,930.00	₩11,860.00
250 - 498	₩5,800.00	₩11,600.00
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RS 제품 번호:: 260-5120
제조사 부품 번호:: IPB180N06S4H1ATMA2
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-263
	Series	iPB
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.70mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-263
	Series iPB
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.70mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB180N06S4H1ATMA2

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

Infineon iPB N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2

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