Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -42 A, -55 V TO-263 AUIRF4905STRL
- RS 제품 번호:
- 260-5059
- 제조사 부품 번호:
- AUIRF4905STRL
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 unit)*
₩9,184.50
재고있음
- 210 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 |
|---|---|
| 1 - 24 | ₩9,184.50 |
| 25 - 49 | ₩8,248.50 |
| 50 - 99 | ₩8,092.50 |
| 100 - 249 | ₩6,766.50 |
| 250 + | ₩6,630.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 260-5059
- 제조사 부품 번호:
- AUIRF4905STRL
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -42A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20mΩ | |
| Forward Voltage Vf | -1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 15.88mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -42A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ | ||
Forward Voltage Vf -1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.67mm | ||
Height 15.88mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon P Channel HEXFET Power MOSFET is specifically design for automotive applications. This power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Advanced process technology
Ultra low on resistance
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
관련된 링크들
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -42 A, -55 V TO-263
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF5210STRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 270 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF2804STRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 162 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF1404STRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 320 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 AUIRF2804STRL7P
- Infineon AUIRF Type P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF6215STRL
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 70 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF4905STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 240 A, 55 V, 7-Pin TO-263 IRF3805STRL-7PP