Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 202 A, 40 V, 3-Pin TO-220 AUIRF1404
- RS 제품 번호:
- 260-5056
- 제조사 부품 번호:
- AUIRF1404
- 제조업체:
- Infineon
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing optionsSubtotal (50 units, in tubes of 50)*
₩660,400.00
재고있음
- 추가로 2026년 10월 05일 부터 950 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | ₩13,208.00 | ₩660,400.00 |
| 100 - 450 | ₩10,826.00 | ₩541,300.00 |
| 500 - 950 | ₩9,230.00 | ₩461,460.00 |
| 1000 - 1950 | ₩8,092.00 | ₩404,620.00 |
| 2000 + | ₩7,632.00 | ₩381,620.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 260-5056
- 제조사 부품 번호:
- AUIRF1404
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 202A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 16.51mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 202A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 16.51mm | ||
Height 4.83mm | ||
Width 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFET is specifically design for automotive applications. This power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Advanced process technology
Ultra low on resistance
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
관련된 링크들
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 202 A, 40 V, 3-Pin TO-220 AUIRF1404
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET, 202 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET, 202 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF1404PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 162 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 162 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF1404STRL
- Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 230 A, 75 V, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 36 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
