제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V SO-8 IRF7313TRPBF

RS 제품 번호:: 257-9301
제조사 부품 번호:: IRF7313TRPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V SO-8 IRF7313TRPBF

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩11,407.50

재고있음

1,280 개 단위 배송 준비 완료

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	한팩당*
10 - 40	₩1,140.75	₩11,407.50
50 - 90	₩1,084.20	₩10,842.00
100 - 490	₩1,017.90	₩10,179.00
500 - 1990	₩947.70	₩9,477.00
2000 +	₩871.65	₩8,716.50

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 257-9301
제조사 부품 번호:: IRF7313TRPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	46mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.78V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 46mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.78V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7313TRPBF

The Infineon IRF series is the 30V dual n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

RoHS compliant

Low RDS(on)

Dynamic dv/dt rating

Fast switching

Dual n channel mosfet

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 30 V SO-8 IRF7313TRPBF

대량 구매 가격 책정 옵션

관련된 링크들