Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 265 A, 40 V PQFN IRFH7084TRPBF
- RS 제품 번호:
- 257-5804
- 제조사 부품 번호:
- IRFH7084TRPBF
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 257-5804
- 제조사 부품 번호:
- IRFH7084TRPBF
- 제조업체:
- Infineon
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참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 265A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.25mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 127nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 5 mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Length | 6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 265A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.25mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 127nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 5 mm | ||
Height 1.05mm | ||
Length 6mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
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