제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V TO-252

RS 제품 번호:: 257-5548
제조사 부품 번호:: IRFR7446TRPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V TO-252

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 2000 units)*

₩1,259,600.00

일시적 품절

2026년 3월 30일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	릴당*
2000 - 2000	₩629.80	₩1,258,096.00
4000 +	₩616.64	₩1,232,904.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 257-5548
제조사 부품 번호:: IRFR7446TRPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.9mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	65nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	98W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series HEXFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 98W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFR7446TRPBF

The Infineon MOSFET improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and it’s used for OR-ing and redundant power switches and DC/DC and AC/DC converters, DC/AC Inverters.

Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Enhanced body diode dv/dt and dI/dt Capability

Lead-Free

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V TO-252

관련된 링크들