Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 76 A, 200 V Enhancement TO-220 IRFB4127PBF

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RS 제품 번호:
257-5514
제조사 부품 번호:
IRFB4127PBF
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

76A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

PCB

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Industry standard through-hole power package

High-current rating

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100 kHz

Softer body-diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

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