Vishay Type N-Channel MOSFET, 45.9 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩1,731,480.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 6,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
3000 - 6000₩577.16₩1,733,736.00
9000 +₩565.88₩1,699,332.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
252-0284
제조사 부품 번호:
SIS4604LDN-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

45.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01mΩ

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

33.7W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

관련된 링크들