제조사부품번호

Nexperia 2 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 40 V, 8-Pin LFPAK56D

RS 제품 번호:: 240-1820
제조사 부품 번호:: BUK9V13-40HX
제조업체:: Nexperia

Nexperia 2 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 40 V, 8-Pin LFPAK56D

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 1500 units)*

₩1,627,140.00

일시적 품절

2026년 7월 27일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	릴당*
1500 - 6000	₩1,084.76	₩1,628,268.00
7500 +	₩1,064.08	₩1,595,838.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 240-1820
제조사 부품 번호:: BUK9V13-40HX
제조업체:: Nexperia

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Nexperia
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	LFPAK56D
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13.6mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13.9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	46W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Nexperia
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type LFPAK56D
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.9nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 46W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - BUK9V13-40HX

The Nexperia dual, logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D package (half-bridge configuration), using Trench 9 Trench MOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101.

LFPAK56D package with half-bridge configuration enables

Reduced PCB layout complexity

PCB shrinkage through reduced component footprint for 3-phase motor drive

Improved system level Rth(j-amb) due to optimized package design

Lower parasitic inductance to support higher efficiency

Footprint compatibility with LFPAK56D Dual package

Advanced AEC-Q101 grade Trench 9 silicon technology

Low power losses, high power density

Superior avalanche performance

Repetitive avalanche rated

Nexperia 2 Type N-Channel MOSFET, 42 A, 40 V, 8-Pin LFPAK56D

관련된 링크들