제조사부품번호

Nexperia 2 Type N-Channel MOSFET, 98 A, 40 V, 8-Pin LFPAK56D

RS 제품 번호:: 240-1813
제조사 부품 번호:: BUK7V4R2-40HX
제조업체:: Nexperia

Nexperia 2 Type N-Channel MOSFET, 98 A, 40 V, 8-Pin LFPAK56D

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RS 제품 번호:: 240-1813
제조사 부품 번호:: BUK7V4R2-40HX
제조업체:: Nexperia

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Nexperia
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	98A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	LFPAK56D
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.2mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	85W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Nexperia
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 98A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type LFPAK56D
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.2mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 85W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - BUK7V4R2-40HX

The Nexperia dual, standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56D package (half-bridge configuration), using Trench 9 Trench MOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101.

LFPAK56D package with half-bridge configuration enables

Reduced PCB layout complexity

PCB shrinkage through reduced component footprint for 3-phase motor drive

Improved system level Rth(j-amb) due to optimized package design

Lower parasitic inductance to support higher efficiency

Footprint compatibility with LFPAK56D Dual package

Advanced AEC-Q101 grade Trench 9 silicon technology

Low power losses, high power density

Superior avalanche performance

Repetitive avalanche rated

Nexperia 2 Type N-Channel MOSFET, 98 A, 40 V, 8-Pin LFPAK56D

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