STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247 STW75N65DM6-4

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240-0612
제조사 부품 번호:
STW75N65DM6-4
제조업체:
STMicroelectronics
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브랜드

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TO-247

Series

STW

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

480W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

118nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

15.8 mm

Height

5.1mm

Length

40.92mm

Standards/Approvals

UL

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

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