Vishay Type N-Channel MOSFET, 218 A, 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩8,832,240.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 3,000 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
3000 - 12000₩2,944.08₩8,831,112.00
15000 +₩2,883.92₩8,654,580.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
239-8616
제조사 부품 번호:
SiDR626LEP-T1-RE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

218A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.1nC

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

5.15 mm

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for solar micro inverter, motor drive switch and synchronous rectification.

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Very low resistance

UIS tested

관련된 링크들