Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 479 A, 25 V, 8-Pin TDSON BSC004NE2LS5ATMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩18,160.80

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 1월 05일 부터 4,990 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
5 - 5₩3,632.16₩18,160.80
10 - 95₩3,519.36₩17,596.80
100 - 245₩3,417.84₩17,089.20
250 - 495₩3,316.32₩16,581.60
500 +₩3,214.80₩16,074.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
236-3641
제조사 부품 번호:
BSC004NE2LS5ATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

479A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS™

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.45mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

135nC

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.35 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.49mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers Benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.45 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

관련된 링크들