제조사부품번호

STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK

RS 제품 번호:: 233-3040
제조사 부품 번호:: STH12N120K5-2
제조업체:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK

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RS 제품 번호:: 233-3040
제조사 부품 번호:: STH12N120K5-2
제조업체:: STMicroelectronics

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	STB37N60
	Package Type	H2PAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	690mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	44.2nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	15.8 mm
	Length	10.4mm
	Height	4.8mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series STB37N60
	Package Type H2PAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 690mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44.2nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 15.8 mm
	Length 10.4mm
	Height 4.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - STH12N120K5-2

The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Worldwide best FOM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

100% avalanche tested

Zener-protected

STMicroelectronics STB37N60 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK

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