STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N channel-Channel Power MOSFET, 6 A, 1200 V Enhancement Mode, 3-Pin H2PAK-2

N

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩7,468.50

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 114 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
1 - 9₩7,468.50
10 - 49₩7,252.05
50 - 99₩7,012.20
100 +₩6,052.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
800-461
제조사 부품 번호:
STH8N120K5-2AG
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

STH285N10F8-6AG

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.65mΩ

Channel Mode

Enhancement Mode

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

165W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.4mm

Height

15.8mm

Standards/Approvals

ECOPACK

Width

4.7mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

AEC-Q101 qualified

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

100% avalanche tested

Zener-protected

관련된 링크들