STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N-Channel Power MOSFET, 6 A, 1.2 kV Enhancement Mode, 3-Pin H2PAK-2 STH8N120K5-2AG

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RS 제품 번호:
800-461
제조사 부품 번호:
STH8N120K5-2AG
제조업체:
STMicroelectronics
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브랜드

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

H2PAK-2

Series

STH285N10F8-6AG

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.65mΩ

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

165W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.4nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

ECOPACK

Width

4.7mm

Height

15.8mm

Length

10.4mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

AEC-Q101 qualified

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

100% avalanche tested

Zener-protected

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