Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 201 A, 25 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJA22DP-T1-GE3

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RS 제품 번호:
228-2890
제조사 부품 번호:
SiJA22DP-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

201A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.74mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

83nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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