제조사부품번호

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ450DP-T1-GE3

RS 제품 번호:: 228-2887
제조사 부품 번호:: SiJ450DP-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ450DP-T1-GE3

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RS 제품 번호:: 228-2887
제조사 부품 번호:: SiJ450DP-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	113A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	45V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	48W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	75.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 113A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 45V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 48W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 75.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiJ450DP-T1-GE3

The Vishay TrenchFET N-channel is 45 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ450DP-T1-GE3

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