Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD11N80AE-T1-GE3

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포장 옵션
RS 제품 번호:
228-2849
제조사 부품 번호:
SIHD11N80AE-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

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