제조사부품번호

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS 제품 번호:: 228-2848
제조사 부품 번호:: SIHD11N80AE-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 2000 units)*

₩2,658,320.00

일시적 품절

2026년 5월 11일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	릴당*
2000 - 8000	₩1,329.16	₩2,657,944.00
10000 +	₩1,302.84	₩2,604,928.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 228-2848
제조사 부품 번호:: SIHD11N80AE-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Series	E
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	450mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	78W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Series E
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 78W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHD11N80AE-T1-GE3

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

관련된 링크들