제조사부품번호

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS 제품 번호:: 215-2589
제조사 부품 번호:: IRF8910TRPBF
제조업체:: Infineon

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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RS 제품 번호:: 215-2589
제조사 부품 번호:: IRF8910TRPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.5mm
	Width	4 mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.5mm
	Width 4 mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF8910TRPBF

The Infineon HEXFET Power MOSFET has 20V maximum drain source voltage in a SO-8 package. It has application as dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box.

Lead-Free

Low RDS(on)

Ultra-Low Gate Impedance

Dual N-Channel MOSFET

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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