Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 96 A, 200 V Enhancement, 8-Pin HSOF

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 2000 units)*

₩15,149,040.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
현재 액세스할 수 없는 재고 정보 - 나중에 다시 확인해 주세요.
수량
한팩당
릴당*
2000 - 8000₩7,574.52₩15,150,168.00
10000 +₩7,424.12₩14,847,112.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
214-4423
제조사 부품 번호:
IPT111N20NFDATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

96A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

HSOF

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.58 mm

Height

2.4mm

Length

10.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.

It is RoHS compliant

관련된 링크들