STMicroelectronics SCTL35N65G2V Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerFLAT SCTL35N65G2V

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RS 제품 번호:
213-3942
제조사 부품 번호:
SCTL35N65G2V
제조업체:
STMicroelectronics
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브랜드

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerFLAT

Series

SCTL35N65G2V

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

417W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Forward Voltage Vf

3.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

8.1 mm

Standards/Approvals

No

Length

8.1mm

Height

0.95mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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