Vishay SiSS78LDN N-Channel MOSFET, 66.7 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS78LDN-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
현재 비가용
RS는 이 제품을 더 이상 판매하지 않습니다.
포장 옵션
RS 제품 번호:
210-5020
제조사 부품 번호:
SiSS78LDN-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Series

SiSS78LDN

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

66.7 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

70 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

1.1 V

Height

830 μm

Length

3.4 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

4.8 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

57 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

32 nC

Width

3.4 mm

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

관련된 링크들