Vishay Si4190ADY Type N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4190ADY-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 787-9235
- 제조사 부품 번호:
- SI4190ADY-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 pack of 5 units)*
₩9,907.60
재고있음
- 추가로 2025년 12월 29일 부터 2,030 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 한팩당* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | ₩1,981.52 | ₩9,907.60 |
| 625 - 1245 | ₩1,932.64 | ₩9,663.20 |
| 1250 + | ₩1,906.32 | ₩9,531.60 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 787-9235
- 제조사 부품 번호:
- SI4190ADY-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | Si4190ADY | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44.4nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOIC | ||
Series Si4190ADY | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44.4nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.5mm | ||
Width 4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
관련된 링크들
- Vishay Si4190ADY Type N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay SI Type N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4190BDY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4559ADY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 29 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4459ADY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 8.3 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4056ADY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 7.2 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4447ADY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4134DY Type N-Channel MOSFET, 14 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC Si4134DY-T1-GE3
