제조사부품번호

Toshiba N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK

Name: Toshiba N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK
Brand: Toshiba
SKU: 171-2528
Availability: InStock

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 받기

800개 더 담고 1% 할인 받기

View bulk pricing options

Subtotal (1 pack of 100 units)*

₩11,000.00

재고있음

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

사양

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Toshiba
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	400mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.75Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	-0.79V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.39nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.3mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.9mm
	Height	900μm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Toshiba
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 400mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.75Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf -0.79V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.39nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.3mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.9mm
	Height 900μm
	Automotive Standard No

High-Speed Switching

ESD(HBM) level 2 kV

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

관련된 링크들