Toshiba Type N-Channel MOSFET, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩112,800.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 6,000 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
3000 - 3000₩37.60₩113,928.00
6000 - 9000₩37.60₩110,544.00
12000 +₩35.72₩107,160.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
171-2411
제조사 부품 번호:
T2N7002BK
제조업체:
Toshiba
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

400mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-0.79V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.39nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.9mm

Height

0.9mm

Standards/Approvals

No

Width

1.3 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TH
High-Speed Switching

ESD(HBM) level 2 kV

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

관련된 링크들