Infineon Si4435DYPbF Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩9,531.60

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
마지막 RS 재고
  • 최종적인 6,560 개 unit(s)이 배송 준비 됨
수량
한팩당
한팩당*
10 - 990₩953.16₩9,531.60
1000 - 1990₩928.72₩9,287.20
2000 +₩915.56₩9,155.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
171-1913
제조사 부품 번호:
SI4435DYTRPBF
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si4435DYPbF

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Automotive Standard

No

비준수

The Infineon SI4435DY is the 30V single P-channel HEXFET power MOSFET in a SO-8 package. These P-channel HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize Advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area.

P-channel MOSFET

Surface mount

Available in tape and reel

Lead free

관련된 링크들