Vishay SI9634DY 4 Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI9634DY-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 268-8283
- 제조사 부품 번호:
- SI9634DY-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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- RS 제품 번호:
- 268-8283
- 제조사 부품 번호:
- SI9634DY-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Channel Type | Dual N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SI9634DY | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 60 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Number of Elements per Chip | 4 | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Channel Type Dual N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SI9634DY | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 60 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Number of Elements per Chip 4 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay dual N channel TrenchFET 4 generation power MOSFET that is fully lead pb and halogen free device. It is optimized and ratio reduces switching related power loss and it is used in applications such as synchronous rectification, motor drive contr
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
관련된 링크들
- Vishay SI9634DY 4 Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI9634DY-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 19.8 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4204DY-T1-GE3
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- Vishay Type P-Channel MOSFET, 13.6 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4155DY-T1-GE3
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