제조사부품번호

Vishay Si4431CDY Type P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

RS 제품 번호:: 165-7252
제조사 부품 번호:: SI4431CDY-T1-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay Si4431CDY Type P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 2500 units)*

₩1,386,500.00

일시적 품절

2026년 8월 17일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	릴당*
2500 - 10000	₩554.60	₩1,387,440.00
12500 +	₩543.32	₩1,359,710.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 165-7252
제조사 부품 번호:: SI4431CDY-T1-GE3
제조업체:: Vishay

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	Si4431CDY
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	49mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	4.2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Forward Voltage Vf	-0.71V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Width	4 mm
	Height	1.55mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series Si4431CDY
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 49mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 4.2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Forward Voltage Vf -0.71V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Width 4 mm
	Height 1.55mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Si4431CDY Type P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

관련된 링크들