Nexperia Type P-Channel MOSFET, -2.9 A, -20 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB75UPEZ

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 50 units)*

₩20,774.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 5월 12일 부터 5,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
50 - 1200₩415.48₩20,774.00
1250 - 2450₩407.96₩20,416.80
2500 +₩400.44₩20,040.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
153-1936
제조사 부품 번호:
PMXB75UPEZ
제조업체:
Nexperia
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Nexperia

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

950mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

8.33W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.36mm

Standards/Approvals

No

Length

1.15mm

Width

1.05 mm

Automotive Standard

No

20 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1.5 kV HBM

Drain-source on-state resistance RDSon = 69 mΩ

Very low gate-source threshold voltage for portable applications VGS(th) = -0.68 V

High-side load switch and charging switch for portable devices

Power management in battery driven portables

LED driver

DC-to-DC converter

관련된 링크들